各相关单位：

      根据《关于印发2020年宁波市专技人才知识更新工程紧缺人才培训项目计划的通知》（甬人社办发〔2020〕7号）精神和要求，“先进微电子技术与应用”高级研修班经宁波市人力资源和社会保障局批准，由宁波大学承办。现将有关事项通知如下：

      一、培训对象

      微电子相关企业和科研机构中高级专业技术人员，人数100人。

      二、培训时间和地点

      时间：2020年10月9日-11日共3天

      上午8:30-11:00

      下午13:30-16:00

      地点：宁波大学物理科学与技术学院报告厅（宁波市江北区风华路818号宁波大学龙赛楼报告厅）

      三、课程安排

      四、师资简介

      诸跃进，男，1958年3月出生，浙江省临安市人。1982年2月毕业于浙江师范学院宁波分校物理系，获理学学士学位。1988年1月同济大学物理系理论物理助教进修班结业。2003年6月毕业于南京大学物理系，获理学博士学位。2007年11月美国密苏里-哥伦比亚大学物理系访问学者。现为宁波市纳米材料重点实验室主任，浙江省高等学校大学物理教学指导委员会委员，博士生导师。主持了多个国家自然科学基金、浙江省自然科学基金等项目的研究工作，参加了国家自然科学基金重点项目的研究。曾获浙江省自然科学成果二等奖，浙江省高等学校优秀科研成果一等奖。主要研究方向：新能源材料与器件、软凝聚态物理、纳米材料。研究新型太阳能电池的结构、机理与制备，半导体纳米材料的制备，聚合物复合体系及聚合物纳米药物体系的自组装等问题。先后在ACS nano, Phys.Rev.B, Phys.Rev.E, J.Chem.Phys.等国内外重要学术刊物上发表论文100余篇,申请发明专利15项。

      程玉华，IEEE Fellow，北京大学上海微电子研究院院长、博士生导师。1982年于山东工学院（现山东大学）半导体专业获得学士学位，1985年于天津大学半导体专业获得硕士学位，1989年于清华大学微电子专业获得博士学位。 1990年进入北京大学微电子研究所做博士后研究，完成两年科学研究后留校，任副教授。在北大期间承担了国家“七五”、“八五”重点攻关科研项目。 1994年获得挪威国家科学研究委员会研究基金，单位公派赴挪威川得汉姆(Trondheim)大学做访问学者一年。1995年受美国加州伯克利大学著名教授、美国国家工程科学院院士胡正明博士 <Dr. Chenming Hu> 邀请赴该校担任BSIM3V3项目负责人。1996年该项目取得重大突破，被评为年度世界100项重大科研成果之一。被美国电子工业协会定为行业标准。对世界半导体发展产生了重大影响。 1997年1月至2006年4月先后在美国CANENCE、ROCKWELL、CONEXANT、SKYWORKS、SILICONLINX等公司任咨询顾问、主任工程师、经理、资深经理、总经理/技术长等职务，有十几年在美国大型芯片设计公司的实际工作经验，在美国工作期间开发的BSIM3v3被美国电子工业协会定为世界首个集成电路设计标准，并获得研究与开发百项奖( R&D 100 Award)。BSIM3v3已被全球几乎所有集成芯片制造和设计公司应用。所开发部分技术也被作为IP转让给世界著名集成电路芯片制造公司台积电(TSMC)。领导和参与开发了从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.13微米到90纳米CMOS/BICMOS工艺的混合或射频信号集成电路技术平台和IP及模拟/混合/射频电路产品。目前在北京大学上海微电子研究院领导模拟/混合/射频电路产品技术开发和相关研究， 承担了多项国家和上海市专项课题。多年来在半导体技术研究与开发领域积累了丰富的工业经验和学术研究成果。已发表文章130余篇，出版英文专著两部，其中一部被译成日文。IEEE于2007年授予其Fellow称号，以承认其在集成电路及工业应用方面所做出的突出贡献。

      胡宝平，1982年7月毕业于电子科技大学电子工程专业，高级工程师；1982年8月至2014年11月在中国电子科技集团公司第四十五研究所工作，先后担任课题组长、研究室主任、所长助理、副总工程师、公司总经理等职务；1999年12月至2000年8月在中央党校干部管理高级培训班学习；2014年12月至2018年7月任上海广奕电子科技股份有限公司运营总监；2018年8月起至今，创建宁波奕丰光电科技有限公司。

      贾仁需，男，博士（2009），教授（2016），博士生导师（2015），陕西省青年科技新星（2016），

主要从事宽禁带半导体（SiC和Ga2O3）材料和器件方面研究工作。主持研究多项研究课题：02国家科技重大专项1项；国家自然科学基金重点项目1项，面上项目2项，青年基金1项；国家智能电网项目2项；预研项目1项；国家重点实验室开放课题1项；西安市科技局项目1项。参与研究国家重大专项“SiC半导体材料成套设备研发”，“半绝缘SiC半径衬底材料”，教育部支撑计划项目“SiC功率XXX”等多项科研项目。科研项目可支配经费累计3000余万元。近五年发表SCI学术论文30余篇，申请发明专利50余项，授权10余项

      杨晔于1999年、2002年分别获得合肥工业大学材料科学与工程学院工学学士、硕士学位，2006年获得中科院固体物理研究所凝聚态物理学博士学位，同年进入中科院宁波材料技术与工程研究所工作，历任助理研究员、副研究员（2007年）、研究员（2014年）。杨晔博士主要从事面向光电器件的透明导电氧化物材料的基础与应用研究，涉及高质量的大尺寸平面与旋转靶材制备技术、透明导电薄膜的光电特性调控研究。发表论文近20篇，拥有专利15项，其中5项已授权。主持和参与多项国家、省市自然科学基金项目、中科院方向性项目以及院地合作项目，在溅射靶材方面的1项成果通过专家鉴定并顺利实现转移转化。

      胡子阳，宁波大学物理科学与技术学院副教授，硕士生导师。2012年获得南开大学微电子学与固体电子学博士学位，任教宁波大学至今，现任宁波大学微电子科学与工程系主任。主要研究兴趣：新型半导体物理与器件，主要器件包括光探测器、光电二极管和光伏电池。入选浙江省高校中青年学科带头人，并获得浙江省高校优秀青年教师资助。现主持和完成国家和省部级自然基金3项，发表论文百余篇，其中以第一或通讯作者在国外著名期刊发表高质量的SCI论文60余篇，引用1500多次，个人学术H指数达到25。申请专利10多项，授权5项。

      顾辰杰，宁波大学物理科学与技术学院副教授，硕士生导师。2010年于新加坡南洋理工大学微电子系获博士学位。研究对象包括以高k值材料为栅极的硅和III-V族化合物晶体管，以及基于氧化铪（HfOx）材料的电阻性记忆体。在博士期间，分别对于以高k值材料为栅的n-MOSFET 和p-MOSFET的工作模式，提出了NBTI/PBTI的衰减模型，并且成功运用高k值材料的特性，构建电阻性记忆体的工作模型。2014年5月加入联华电子新加坡公司任主任工程师（Principle Engineer），主要负责背照式CMOS图像传感器的研发，期间对于半导体工艺流程和CMOS图像传感器的设计、测量和工艺有了丰富经验积累。目前为宁波大学副教授，主要研究方向为氧化物半导体在光电子、神经元网络等方面的应用。

      赵子奇，2013年获得电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，现为宁波大学物理科学与技术学院讲师。主要研究方向为宽禁带化合物半导体电力电子器件与微波功率集成，主持和参与多项国家、省市级自然科学基金项目、国家重点实验室开放课题和横向课题。发表论文20余篇，获授权专利10余项。

      肖艳，2007年毕业于电子科技大学微电子专业，硕士学位。现就职于芯原微电子上海有限公司，任高级主任电路设计工程师，专注于集成电路中接口电路的设计和应用。

      五、其他相关事项

      1、本项目为2020年宁波市市级专业技术人员继续教育高级研修班项目，由宁波市人才专项经费资助，不收取培训费，并提供免费午餐；

      2、研修期间，学员需撰写一份学习总结，不少于500字，并按指定时间提交 。

      3、研修期间，学员应遵守时间，按时参加培训活动，培训期间进行出勤考核；无故缺勤2次以上者，无培训成绩，不发结业证书

      4、学员报到时提交一张本人二寸免冠证件照（背面注明姓名及电话）；

      5、参训人员在2020年10月4日17：00前请将电子版回执（见附件1）发至64143681@qq.com邮箱，或加入QQ群：697015568。联系人：赵老师 电话：15088400493。

报名回执

宁波大学

2020.9.7